ఘన SiC పొర క్యారియర్

VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క ఘన SiC పొర క్యారియర్ సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియలలో అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు తుప్పు నిరోధక వాతావరణాల కోసం రూపొందించబడింది మరియు అధిక స్వచ్ఛత అవసరాలతో అన్ని రకాల పొర తయారీ ప్రక్రియలకు అనుకూలంగా ఉంటుంది. VeTek సెమీకండక్టర్ అనేది చైనాలో ప్రముఖ వేఫర్ క్యారియర్ సరఫరాదారు మరియు సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారడానికి ఎదురుచూస్తోంది.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

ఘన SiC పొర క్యారియర్ అనేది సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియ యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక పీడనం మరియు తినివేయు వాతావరణం కోసం తయారు చేయబడిన ఒక భాగం మరియు అధిక స్వచ్ఛత అవసరాలతో వివిధ పొరల తయారీ ప్రక్రియలకు అనుకూలంగా ఉంటుంది.

ఘన SiC పొర క్యారియర్ పొర యొక్క అంచుని కవర్ చేస్తుంది, పొరను రక్షిస్తుంది మరియు దానిని ఖచ్చితంగా ఉంచుతుంది, అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పొరల పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తుంది. SiC పదార్థాలు లిక్విడ్ ఫేజ్ ఎపిటాక్సీ (LPE), రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) మరియు మెటల్ ఆర్గానిక్ ఆవిరి నిక్షేపణ (MOCVD) వంటి ప్రక్రియలలో వాటి అద్భుతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వం, తుప్పు నిరోధకత మరియు అత్యుత్తమ ఉష్ణ వాహకత కారణంగా విస్తృతంగా ఉపయోగించబడతాయి. VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క ఘన SiC పొర క్యారియర్ బహుళ కఠినమైన వాతావరణాలలో ధృవీకరించబడింది మరియు పొర ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియ యొక్క స్థిరత్వం మరియు సామర్థ్యాన్ని సమర్థవంతంగా నిర్ధారించగలదు.

Vapor-phase epitaxial growth method

ఘన SiC పొర క్యారియర్ఉత్పత్తి లక్షణాలు

● అల్ట్రా-అధిక ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం: ఘన SiC పొర వాహకాలు 1500°C వరకు ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటాయి మరియు వైకల్యం లేదా పగుళ్లకు గురికావు.

● అద్భుతమైన రసాయన తుప్పు నిరోధకత: అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన సిలికాన్ కార్బైడ్ పదార్థాలను ఉపయోగించి, ఇది బలమైన ఆమ్లాలు, బలమైన ఆల్కాలిస్ మరియు తినివేయు వాయువులతో సహా వివిధ రకాల రసాయనాల నుండి తుప్పును నిరోధించగలదు, పొర క్యారియర్ యొక్క సేవా జీవితాన్ని పొడిగిస్తుంది.

● అధిక ఉష్ణ వాహకత: ఘన SiC పొర క్యారియర్లు అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకతను కలిగి ఉంటాయి మరియు ప్రక్రియ సమయంలో త్వరగా మరియు సమానంగా వేడిని వెదజల్లగలవు, పొర ఉష్ణోగ్రత యొక్క స్థిరత్వాన్ని నిర్వహించడానికి మరియు ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క ఏకరూపత మరియు నాణ్యతను మెరుగుపరచడంలో సహాయపడతాయి.

● తక్కువ కణాల ఉత్పత్తి: SiC పదార్థాలు సహజమైన తక్కువ కణ ఉత్పత్తి లక్షణాన్ని కలిగి ఉంటాయి, ఇది కాలుష్య ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది మరియు అధిక స్వచ్ఛత కోసం సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ యొక్క కఠినమైన అవసరాలను తీర్చగలదు.

సాంకేతిక లక్షణాలు:

పరామితి	వివరణ
మెటీరియల్	అధిక స్వచ్ఛత ఘన సిలికాన్ కార్బైడ్
వర్తించే పొర పరిమాణం	4-అంగుళాల, 6-అంగుళాల, 8-అంగుళాల, 12-అంగుళాల (అనుకూలీకరించదగినది)
గరిష్ట ఉష్ణోగ్రత సహనం	1500°C వరకు
రసాయన నిరోధకత	యాసిడ్ మరియు క్షార నిరోధకత, ఫ్లోరైడ్ తుప్పు నిరోధకత
ఉష్ణ వాహకత	250 W/(m·K)
కణ ఉత్పత్తి రేటు	అల్ట్రా-తక్కువ కణ ఉత్పత్తి, అధిక స్వచ్ఛత అవసరాలకు తగినది
అనుకూలీకరణ ఎంపికలు	పరిమాణం, ఆకారం మరియు ఇతర సాంకేతిక పారామితులను అవసరమైన విధంగా అనుకూలీకరించవచ్చు

ఎందుకు ఎంచుకోవాలిVeTek సెమీకండక్టర్ఘన SiC పొర సబ్‌స్ట్రేట్ క్యారియర్ రింగ్?

● విశ్వసనీయత: ఎండ్ కస్టమర్ల ద్వారా కఠినమైన పరీక్ష మరియు వాస్తవ ధృవీకరణ తర్వాత, ఇది తీవ్రమైన పరిస్థితుల్లో దీర్ఘకాలిక మరియు స్థిరమైన మద్దతును అందిస్తుంది మరియు ప్రక్రియ అంతరాయం ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది.

● అధిక-నాణ్యత పదార్థాలు: అత్యధిక నాణ్యత గల SiC మెటీరియల్‌తో తయారు చేయబడింది, ప్రతి ఘన SiC పొర క్యారియర్ పరిశ్రమ యొక్క ఉన్నత ప్రమాణాలకు అనుగుణంగా ఉండేలా చూసుకోండి.

● అనుకూలీకరణ సేవ: నిర్దిష్ట ప్రక్రియ అవసరాలను తీర్చడానికి బహుళ స్పెసిఫికేషన్లు మరియు సాంకేతిక అవసరాల అనుకూలీకరణకు మద్దతు.

మీకు మరింత ఉత్పత్తి సమాచారం కావాలంటే లేదా ఆర్డర్ చేయడానికి, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించండి. ఉత్పత్తి సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడంలో మరియు నిర్వహణ ఖర్చులను తగ్గించడంలో మీకు సహాయపడటానికి మేము మీ నిర్దిష్ట అవసరాల ఆధారంగా వృత్తిపరమైన సంప్రదింపులు మరియు పరిష్కారాలను అందిస్తాము.