CVD SiC పాన్‌కేక్ ససెప్టర్

ఉన్నతమైన భౌతిక లక్షణాలు

VeTek సెమీకండక్టర్ CVD SiC పాన్‌కేక్ ససెప్టర్ అద్భుతమైన మన్నిక మరియు తీవ్ర ఉష్ణోగ్రత అనుకూలతను నిర్ధారించడానికి తాజా రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) సాంకేతికతను ఉపయోగించి తయారు చేయబడింది. క్రింది దాని ప్రధాన భౌతిక లక్షణాలు:

● ఉష్ణ స్థిరత్వం: CVD SiC యొక్క అధిక ఉష్ణ స్థిరత్వం అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో స్థిరమైన పనితీరును నిర్ధారిస్తుంది.

● తక్కువ ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం: పదార్థం చాలా తక్కువ ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం కలిగి ఉంటుంది, ఇది ఉష్ణోగ్రత మార్పుల వల్ల ఏర్పడే వార్పింగ్ మరియు వైకల్యాన్ని తగ్గిస్తుంది.

● రసాయన తుప్పు నిరోధకత: అద్భుతమైన రసాయన నిరోధకత వివిధ రకాల కఠినమైన వాతావరణాలలో అధిక పనితీరును నిర్వహించడానికి వీలు కల్పిస్తుంది.

ఖచ్చితమైన మద్దతు మరియు ఆప్టిమైజ్ చేయబడిన ఉష్ణ బదిలీ

VeTekSemi యొక్క పాన్‌కేక్ ససెప్టర్ ఆధారిత SiC కోటెడ్ సెమీకండక్టర్ పొరలను ఉంచడానికి మరియు ఎపిటాక్సియల్ నిక్షేపణ సమయంలో అద్భుతమైన మద్దతును అందించడానికి రూపొందించబడింది. SiC పాన్‌కేక్ ససెప్టర్ వివిధ ఉష్ణోగ్రత మరియు పీడన పరిస్థితులలో వార్పింగ్ మరియు డిఫార్మేషన్‌ను తగ్గించడానికి అధునాతన గణన అనుకరణ సాంకేతికతను ఉపయోగించి రూపొందించబడింది. దీని సాధారణ ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం సుమారు 4.0 × 10^^-6/°C, అంటే దాని డైమెన్షనల్ స్టెబిలిటీ అధిక-ఉష్ణోగ్రత వాతావరణంలో సాంప్రదాయ పదార్థాల కంటే మెరుగ్గా ఉంటుంది, తద్వారా పొర మందం (సాధారణంగా 200 మిమీ నుండి 300 మిమీ వరకు) స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది.

అదనంగా, CVD పాన్‌కేక్ ససెప్టర్ 120 W/m·K వరకు ఉష్ణ వాహకతతో ఉష్ణ బదిలీలో శ్రేష్ఠమైనది. ఈ అధిక ఉష్ణ వాహకత త్వరగా మరియు ప్రభావవంతంగా వేడిని నిర్వహించగలదు, కొలిమిలో ఉష్ణోగ్రత ఏకరూపతను పెంచుతుంది, ఎపిటాక్సియల్ నిక్షేపణ సమయంలో ఏకరీతి ఉష్ణ పంపిణీని నిర్ధారిస్తుంది మరియు అసమాన వేడి వలన ఏర్పడే నిక్షేపణ లోపాలను తగ్గిస్తుంది. నిక్షేపణ నాణ్యతను మెరుగుపరచడానికి ఆప్టిమైజ్ చేయబడిన ఉష్ణ బదిలీ పనితీరు కీలకం, ఇది ప్రక్రియ హెచ్చుతగ్గులను సమర్థవంతంగా తగ్గిస్తుంది మరియు దిగుబడిని మెరుగుపరుస్తుంది.

ఈ డిజైన్ మరియు పనితీరు ఆప్టిమైజేషన్ల ద్వారా, VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క CVD SiC పాన్‌కేక్ ససెప్టర్ సెమీకండక్టర్ తయారీకి గట్టి పునాదిని అందిస్తుంది, కఠినమైన ప్రాసెసింగ్ పరిస్థితుల్లో విశ్వసనీయత మరియు అనుగుణ్యతను నిర్ధారిస్తుంది మరియు అధిక ఖచ్చితత్వం మరియు నాణ్యత కోసం ఆధునిక సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ యొక్క కఠినమైన అవసరాలను తీరుస్తుంది.

CVD SIC ఫిల్మ్ క్రిస్టల్ స్ట్రక్చర్

CVD SiC పూత యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలు

CVD SiC పూత యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలు
ఆస్తి	సాధారణ విలువ
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β ఫేజ్ పాలీక్రిస్టలైన్, ప్రధానంగా (111) ఓరియెంటెడ్
సాంద్రత	3.21 గ్రా/సెం³
కాఠిన్యం	2500 వికర్స్ కాఠిన్యం (500 గ్రా లోడ్)
ధాన్యం పరిమాణం	2~10μm
రసాయన స్వచ్ఛత	99.99995%
ఉష్ణ సామర్థ్యం	640 J·kg-1·కె-1
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	2700℃
ఫ్లెక్సురల్ స్ట్రెంత్	415 MPa RT 4-పాయింట్
యంగ్స్ మాడ్యులస్	430 Gpa 4pt బెండ్, 1300℃
ఉష్ణ వాహకత	300W·m-1·కె-1
థర్మల్ విస్తరణ (CTE)	4.5×10-6K-1